吴兢, 杨振威, 杜欢, 赵兴国
以半片组件为研究对象,对不同遮挡情况下的二极管状态进行分析,过程中采用了测试二极管两端电压、组件发热IR分析、组件接入固定负载下功率分析、不同遮挡下功率测试等多种测试方式。研究表明,在半片组件中,当单个支路中遮挡面积不足1个半片时,二极管未启动,为反向偏置,导致被遮挡电池片出现不同位置的热斑;当单个支路中遮挡1个半片电池片时,电池片不发热,此时二极管已启动,为正向偏置,与之相并联的支路被短路,无功率输出;当单个支路中遮挡达3个半片电池片时,支路处于断路状态,二极管仍然为反向偏置,与之相并联的支路正常工作,功率正常输出。该分析有助于半片组件实际应用中更好避免热斑的产生,对不同遮挡下发电量的分析有很大帮助。